IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N04S4L11ATMA1 par Infineon et IPG20N04S408ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N04S408ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,78
FET Type 2 N-Channel (Dual) Dual N-Channel
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ 25C 20 A per channel —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A 11.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Power Dissipation (PD) 41 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (260C peak reflow) MSL1 (260 degC peak reflow)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
Statut RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Technology OptiMOS-T2 trench OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, per channel) — 20 A at 25 degC case
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 7.6 mOhm
Maximum Power Dissipation (P_D) — 65 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 degC to +175 degC
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Rated — 100 percent tested
Channel Count — 2 (independent)
Operating Mode — Enhancement mode, Normal Level

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