IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG20N04S4L11ATMA1 por Infineon y IPG20N06S2L65AATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,39 $0,78
FET Type 2 N-Channel (Dual) Dual N-Channel (Half Bridge / Independent)
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C 20 A per channel —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A 11.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Power Dissipation (PD) 41 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (260C peak reflow) MSL1 (peak reflow 260 C)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
Estado RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Technology OptiMOS-T2 trench OptiMOS Trench MOSFET
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Power Dissipation (PD) — 43 W
Gate Threshold (VGS(th)) — Logic-Level
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C
AEC-Q101 Qualification — Yes
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (wettable flank)

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