IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N04S4L11ATMA1 par Infineon et IPG20N06S2L65AATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG20N04S4L11ATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,78
FET Type 2 N-Channel (Dual) Dual N-Channel (Half Bridge / Independent)
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C 20 A per channel —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A 11.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Maximum Power Dissipation (PD) 41 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (260C peak reflow) MSL1 (peak reflow 260 C)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
Statut RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Technology OptiMOS-T2 trench OptiMOS Trench MOSFET
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Power Dissipation (PD) — 43 W
Gate Threshold (VGS(th)) — Logic-Level
Température de fonctionnement — -55 C to +175 C
AEC-Q101 Qualification — Yes
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (wettable flank)

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