IPG20N10S436AATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG20N10S436AATMA1 por Infineon y BSC030N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG20N10S436AATMA1 BSC030N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,55
Configuration Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Total Power Dissipation (PD) 43 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Encapsulado PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (TJ max) +175 C —
JESD-609 Code e3 —
Nivel MSL MSL1 (260 C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100% —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Estado RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Channel Type N-Channel Normal Level —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Type — N-Channel Power MOSFET
Technology — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 161 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
RDS(on) max at VGS=10 V — 3.0 mOhm
RDS(on) max at VGS=7 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V]
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) — 2.5 W
Power Dissipation (TC=25C) — 139 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55C to +150C
Sin halógenos — Yes
Lead-Free — Yes
Gate Drive Logic — Standard 10V, compatible with 12V drive
Optimized Application — Synchronous Rectification

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