IPL60R180P6AUMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPL60R180P6AUMA1 por Infineon y IPD80R600P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPL60R180P6AUMA1 IPD80R600P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,92 $0,92
Technology CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) CoolMOS P7 super-junction
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 800 V
Gate-Source Voltage (VGS) -20 V to +20 V (max) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 22.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 22 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 180 mΩ —
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 176 W —
Rango de temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +150 °C —
Storage Temperature Range -55 °C to +150 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) 3 V (typical)
Encapsulado PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 8 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 600 mΩ at VGS=10V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 60 W (Tc)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) — 20 mJ
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) — 0.17 mJ
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
Polarity — N-Channel
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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