IPL60R180P6AUMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPL60R180P6AUMA1 por Infineon e IPD80R600P7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPL60R180P6AUMA1 IPD80R600P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,92 $0,92
Technology CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) CoolMOS P7 super-junction
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 800 V
Gate-Source Voltage (VGS) -20 V to +20 V (max) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 22.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 22 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 180 mΩ —
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 176 W —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 °C to +150 °C —
Storage Temperature Range -55 °C to +150 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) 3 V (typical)
Encapsulamento PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 8 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 600 mΩ at VGS=10V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 60 W (Tc)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) — 20 mJ
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) — 0.17 mJ
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C
Polarity — N-Channel
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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