IPN60R2K0PFD7SATMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPN60R2K0PFD7SATMA1 por Infineon y IPN70R1K4P7SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ Activo
Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,28 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS PFD7 CoolMOS P7
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V 700 V
Continuous Drain Current (Tc) 3 A —
Power Dissipation (Tc) 6 W —
RDS(on) typical @ VGS=10V 2.0 Ohm —
RDS(on) max @ VGS=10V 1.626 Ohm (per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Input Capacitance (Ciss) 134 pF @ 400 V (per UTMel listing) —
Technology CoolMOS superjunction Superjunction (CoolMOS P7)
Encapsulado PG-SOT223-3-1 (SOT-223) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (TJ)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant (per Newark listing) Compliant
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC — 4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 1.4 ohm class (per '1K4' suffix)
Total Power Dissipation (PD) at TC — 6.2 W
Configuration — Single with built-in diode
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
DPAK Footprint Compatible — Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet)

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