IPN60R2K0PFD7SATMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPN60R2K0PFD7SATMA1 par Infineon et IPN70R1K4P7SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ Actif
Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,28 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS PFD7 CoolMOS P7
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V 700 V
Continuous Drain Current (Tc) 3 A —
Power Dissipation (Tc) 6 W —
RDS(on) typical @ VGS=10V 2.0 Ohm —
RDS(on) max @ VGS=10V 1.626 Ohm (per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Input Capacitance (Ciss) 134 pF @ 400 V (per UTMel listing) —
Technology CoolMOS superjunction Superjunction (CoolMOS P7)
Boîtier PG-SOT223-3-1 (SOT-223) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (TJ)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant (per Newark listing) Compliant
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC — 4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 1.4 ohm class (per '1K4' suffix)
Total Power Dissipation (PD) at TC — 6.2 W
Configuration — Single with built-in diode
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
DPAK Footprint Compatible — Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet)

Fiches techniques et ressources

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