IPP075N15N3GXKSA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon y BSC074N15NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPP075N15N3GXKSA1 BSC074N15NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,92 $1,45
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS™ 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Encapsulado PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Estado RoHS — Compliant
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Body Diode — Integrated

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