IPP075N15N3GXKSA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP075N15N3GXKSA1 par Infineon et BSC074N15NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP075N15N3GXKSA1 BSC074N15NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $1,45
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS™ 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Boîtier PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
Type de montage Through Hole Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Body Diode — Integrated

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