IPP075N15N3GXKSA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon e BSC074N15NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP075N15N3GXKSA1 BSC074N15NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,92 $1,45
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS™ 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Encapsulamento PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Status RoHS — Compliant
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Body Diode — Integrated

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação