IPP075N15N3GXKSA1 vs IPB073N15N5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon y IPB073N15N5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPP075N15N3GXKSA1 IPB073N15N5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,92 $1,82
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 5 (superjunction trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Encapsulado PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) PG-TO263-3-2 (D2PAK-3L, surface mount)
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount (SMD)
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55°C to +175°C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 114 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissition (PD) at Tc=25°C — 214 W
Packaging — Tape and Reel (suffix ATMA1)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL (Moisture Sensitivity Level) — [DATA_NEEDED: MSL level]

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