IPP075N15N3GXKSA1 vs IPB073N15N5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon e IPB073N15N5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP075N15N3GXKSA1 IPB073N15N5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,92 $1,82
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 5 (superjunction trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Encapsulamento PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) PG-TO263-3-2 (D2PAK-3L, surface mount)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount (SMD)
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55°C to +175°C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 114 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissition (PD) at Tc=25°C — 214 W
Packaging — Tape and Reel (suffix ATMA1)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL (Moisture Sensitivity Level) — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fichas técnicas e recursos

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