IPW60R037P7XKSA1 vs IPW60R190C6FKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPW60R037P7XKSA1 por Infineon y IPW60R190C6FKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPW60R037P7XKSA1 IPW60R190C6FKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,55 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ P7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET (Superjunction) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) 76 A —
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) 37 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) 255 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 3.5 V —
Encapsulado PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) TO-247-3 (PG-TO247-3-1)
Tipo de montaje Through Hole Through-Hole
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Orderable Part Number Suffix XKSA1 (tube packaging, industrial) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 20.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on), max @ VGS=10V) — 190 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge (Qg, typ @ VDS=480V) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 151 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 0.83 K/W
Recuento de pines — 3 (+ tab)
Nivel MSL — N/A (through-hole)

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