IPW60R037P7XKSA1 vs IPW60R190C6FKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPW60R037P7XKSA1 par Infineon et IPW60R190C6FKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPW60R037P7XKSA1 IPW60R190C6FKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,55 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ P7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET (Superjunction) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) 76 A —
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) 37 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) 255 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 3.5 V —
Boîtier PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) TO-247-3 (PG-TO247-3-1)
Type de montage Through Hole Through-Hole
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Orderable Part Number Suffix XKSA1 (tube packaging, industrial) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 20.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on), max @ VGS=10V) — 190 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge (Qg, typ @ VDS=480V) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 151 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 0.83 K/W
Nombre de broches — 3 (+ tab)
Niveau MSL — N/A (through-hole)

Fiches techniques et ressources

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