IPW60R041C6FKSA1 vs IPP60R180P7XKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPW60R041C6FKSA1 por Infineon y IPP60R180P7XKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPW60R041C6FKSA1 IPP60R180P7XKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida NRND Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,40 $1,30
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C -55 °C to +150 °C
Encapsulado PG-TO247-3-1 (TO-247-3) PG-TO220-3 (through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Nivel MSL Not Applicable (Through-hole) N/A (through-hole)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Power Dissipation PD at TC=25°C — 72 W
Número de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Energy Rated — Yes

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