IQD005N04NM6ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQD005N04NM6ATMA1 por Infineon y IQE220N15NM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQD005N04NM6ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 Power-Transistor OptiMOS 5 Power-Transistor
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 58 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 610 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 0.5 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Encapsulado PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) PG-TSON-8-5 (Source-Down)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 1
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 7 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.6 V (typ at 46 µA)
Total Gate Charge (Qg) — 14.4 nC at 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 14 pF
Output Capacitance (Coss) — 340 pF
Configuración de salida — Single N-Channel
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)

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