IQD005N04NM6ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQD005N04NM6ATMA1 제조: Infineon 및 IQE220N15NM5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQD005N04NM6ATMA1 | IQE220N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.82 | $0.84 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 Power-Transistor | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 58 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 610 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 0.5 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| 패키지 | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) | PG-TSON-8-5 (Source-Down) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 | 1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 44 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V (typ at 46 µA) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14.4 nC at 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 340 pF |
| 출력 구성 | — | Single N-Channel |
| 동작 온도 | — | -55C to +150C (junction) |