IQD005N04NM6ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQD005N04NM6ATMA1 par Infineon et IQE220N15NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQD005N04NM6ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 Power-Transistor OptiMOS 5 Power-Transistor
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 58 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 610 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 0.5 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Boîtier PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) PG-TSON-8-5 (Source-Down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 7 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.6 V (typ at 46 µA)
Total Gate Charge (Qg) — 14.4 nC at 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 14 pF
Output Capacitance (Coss) — 340 pF
Configuration de sortie — Single N-Channel
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)

Fiches techniques et ressources

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