IQD016N08NM5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQD016N08NM5ATMA1 por Infineon y BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 - 80V 1.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQD016N08NM5ATMA1 - 80V 1.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQD016N08NM5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQD016N08NM5ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,68 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 323 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.6 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.3 W
Power Dissipation (Tc) 333 W 65 W
Encapsulado PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 Power-MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Estado RoHS Compliant —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Encapsulado / Carcasa — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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