IQD016N08NM5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQD016N08NM5ATMA1 par Infineon et BSC076N04NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQD016N08NM5ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,68 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 323 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.6 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.3 W
Power Dissipation (Tc) 333 W 65 W
Boîtier PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 Power-MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Statut RoHS Compliant —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Boîtier / Format — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Fiches techniques et ressources

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