IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQE022N06LM5CGSCATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 por Infineon y IQE022N06LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQE022N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,84 | $2,05 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| Encapsulado | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) |
| Recuento de pines | 9 | 9 (PG-WHTFN-9) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 24 A |
| Maximum Power Dissipation (TC) | — | 100 W |
| Maximum Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | — | 2.2 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.3 V (typ) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55C to +150C |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |