IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQDH88N06LM5CGSCATMA1 por Infineon y IQE018N06NM6CGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Activo
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IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,31 $1,21
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench) Trench MOSFET, OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
Corriente de drenador continua (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
Disipación de potencia (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C (junction)
Encapsulado PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant —
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 6 60V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 178 A
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 25 A
R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 1.8 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.3 V (logic-level compatible)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
RoHS Compliance — Compliant

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