IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQDH88N06LM5CGSCATMA1 par Infineon et IQE018N06NM6CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Actif
Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,31 $1,21
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench) Trench MOSFET, OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
Courant de drain continu (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
Dissipation de puissance (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) -55C to +175C (junction)
Boîtier PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant —
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 6 60V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 178 A
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 25 A
R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 1.8 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.3 V (logic-level compatible)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
RoHS Compliance — Compliant

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