IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE012N03LM5CGATMA1 por Infineon y IQE013N04LM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE012N03LM5CGATMA1 IQE013N04LM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,38 $0,71
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 34 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 224 A —
On-Resistance RDS(on), typ 1.20 mOhm —
Gate-Source Threshold VGS(th) 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 107 W 107 W
Technology / Process OptiMOS 5 trench —
Encapsulado PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (TJ) —
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 —
Technology — OptiMOS N-channel trench MOSFET
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 205 A
On-Resistance RDS(on) max — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) typ — 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typ)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Source-Down Topology — Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad)

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