IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE012N03LM5CGATMA1 par Infineon et IQE013N04LM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE012N03LM5CGATMA1 IQE013N04LM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,38 $0,71
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 34 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 224 A —
On-Resistance RDS(on), typ 1.20 mOhm —
Gate-Source Threshold VGS(th) 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 107 W 107 W
Technology / Process OptiMOS 5 trench —
Boîtier PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55 C to +150 C (TJ) —
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 —
Technology — OptiMOS N-channel trench MOSFET
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 205 A
On-Resistance RDS(on) max — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) typ — 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typ)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Source-Down Topology — Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad)

Fiches techniques et ressources

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