IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE036N08NM6CGATMA1 por Infineon y IQD016N08NM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE036N08NM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

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IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 - 80V 1.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQD016N08NM5ATMA1 - 80V 1.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQD016N08NM5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE036N08NM6CGATMA1 IQD016N08NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 5
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Gate-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 118 A —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 16.7 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 3.5 V (max) —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (junction, Tj) -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating)
Encapsulado PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 OptiMOS 5 Power-MOSFET
Configuration Single N-channel, Source-Down —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 323 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.6 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typical]

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