IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE036N08NM6CGATMA1 par Infineon et IQD016N08NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE036N08NM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE036N08NM6CGATMA1 IQD016N08NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 5
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Gate-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 118 A —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 16.7 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 3.5 V (max) —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (junction, Tj) -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating)
Boîtier PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 OptiMOS 5 Power-MOSFET
Configuration Single N-channel, Source-Down —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 323 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.6 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typical]

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