IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE065N10NM5CGSCATMA1 por Infineon y IQE220N15NM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Activo
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IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,28 $0,84
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 13 A —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 6.5 mOhm —
Power Dissipation at TA 2.5 W —
Power Dissipation at TC 100 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 4.6 V (typ at 46 µA)
Encapsulado PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-TSON-8-5 (Source-Down)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench-gate Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 7 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 14.4 nC at 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 14 pF
Output Capacitance (Coss) — 340 pF
Configuración de salida — Single N-Channel
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Nivel MSL — 1

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