IQE220N15NM5ATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE220N15NM5ATMA1 por Infineon y IQDH88N06LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Activo
Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE220N15NM5ATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,84 $2,31
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 22 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V (typ at 46 µA) —
Total Gate Charge (Qg) 14.4 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 14 pF —
Output Capacitance (Coss) 340 pF —
Configuración de salida Single N-Channel —
Encapsulado PG-TSON-8-5 (Source-Down) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (trench)
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (Ta=25°C) — 42 A
Corriente de drenador continua (TC=25°C) — 447 A
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V — 0.86 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 3 W
Disipación de potencia (TC=25°C) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge Qg typical — [DATA_NEEDED: Qg typical nC]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +175°C (TJ)
Recuento de pines — 9 (with exposed pad)
Cooling — Dual-side cooling capable
Polarity — N-Channel
Configuration — Single

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