IQE220N15NM5ATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE220N15NM5ATMA1 par Infineon et IQDH88N06LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE220N15NM5ATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $2,31
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 22 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V (typ at 46 µA) —
Total Gate Charge (Qg) 14.4 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 14 pF —
Output Capacitance (Coss) 340 pF —
Configuration de sortie Single N-Channel —
Boîtier PG-TSON-8-5 (Source-Down) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (trench)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (Ta=25°C) — 42 A
Courant de drain continu (TC=25°C) — 447 A
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V — 0.86 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 3 W
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge Qg typical — [DATA_NEEDED: Qg typical nC]
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +175°C (TJ)
Nombre de broches — 9 (with exposed pad)
Cooling — Dual-side cooling capable
Polarity — N-Channel
Configuration — Single

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