IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 por Infineon y IQE050N08NM5CGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,78 $1,75
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 54 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 422 A —
RDS(on) Max 0.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 2 V —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Encapsulado PG-WHTFN-9-1 (surface mount) PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 7 —
Technology Silicon N-Channel Power MOSFET OptiMOS 5 (Source-Down)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (Ta) — 16 A
Continuous Drain Current (Tc) — 101 A
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Temperatura de funcionamiento — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]
Estado RoHS — Compliant
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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