IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs ISCH99N04NM7VATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 por Infineon y ISCH99N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ISCH99N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,42 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 degrees C to +175 degrees C —
Encapsulado PG-TTFN-9-3 PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) OptiMOS 7 Trench Power MOSFET
Estado RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current at Ta (I_D) — 40 A
Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) — 284 A
Power Dissipation at Ta (P_D) — 3 W
Power Dissipation at Tc (P_D) — 150 W
Gate Threshold Voltage (V_th) — Up to 3.2 V
Operating Mode — Enhancement-mode
Target Application — 12 V to 48 V Motor Drives

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