IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs ISCH99N04NM7VATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 par Infineon et ISCH99N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ISCH99N04NM7VATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,42 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
Plage de température de fonctionnement -55 degrees C to +175 degrees C —
Boîtier PG-TTFN-9-3 PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) OptiMOS 7 Trench Power MOSFET
Statut RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current at Ta (I_D) — 40 A
Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) — 284 A
Power Dissipation at Ta (P_D) — 3 W
Power Dissipation at Tc (P_D) — 150 W
Gate Threshold Voltage (V_th) — Up to 3.2 V
Operating Mode — Enhancement-mode
Target Application — 12 V to 48 V Motor Drives

Fiches techniques et ressources

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