IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs ISCH99N04NM7VATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 por Infineon e ISCH99N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ISCH99N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,42 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
Faixa de temperatura de operação -55 degrees C to +175 degrees C —
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) OptiMOS 7 Trench Power MOSFET
Status RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current at Ta (I_D) — 40 A
Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) — 284 A
Power Dissipation at Ta (P_D) — 3 W
Power Dissipation at Tc (P_D) — 150 W
Gate Threshold Voltage (V_th) — Up to 3.2 V
Operating Mode — Enhancement-mode
Target Application — 12 V to 48 V Motor Drives

Fichas técnicas e recursos

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