IR2101PBF vs IR2110SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2101PBF por Infineon y IR2110SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2101PBF IR2110SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $1,98
Configuration Half-Bridge (High and Low Side) —
Input Type Non-Inverting —
Number of Drivers 2 (High-Side + Low-Side) —
Número de salidas 2 —
Supply Voltage (VCC/VBS) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V CMOS / LSTTL
Peak Source Current 0.21 A (210 mA) —
Peak Sink Current 0.36 A —
Offset (High-Side) Voltage Up to +600 V —
Propagation Delay 160 ns —
Undervoltage Lockout Yes —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm) 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
Tipo de montaje Through-Hole Surface Mount
Packaging Tube —
Estado RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Función — Half-bridge gate driver
Topología — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)

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