IR2109SPBF vs 2ED2304S06FXUMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IR2109SPBF por Infineon y 2ED2304S06FXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IR2109SPBF | 2ED2304S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,05 | $0,66 |
| Driver Configuration | Half-Bridge | Half-Bridge (High-Side + Low-Side) |
| Number of Drivers | 2 (high-side + low-side) | — |
| High-Side Voltage Tolerance | 600 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| Source Current (typical) | 0.2 A | — |
| Sink Current (typical) | 0.35 A | — |
| Turn-On Propagation Delay | 150 ns | — |
| Turn-Off Propagation Delay | 150 ns | — |
| Tiempo de subida | 200 ns | — |
| Tiempo de bajada | 50 ns | — |
| Quiescent VCC Current | 1 mA | — |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V / 5 V CMOS / TTL | 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) |
| Undervoltage Lockout | Yes (VCC) | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | Integrated (BSD) |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -40 C to +150 C | — |
| Encapsulado | SOIC-8 | PG-DSO-8-910 (DSO-8) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | — | Infineon thin-film SOI |
| Blocking Voltage (High-Side) | — | 650 V |
| Source Current (typ.) | — | 0.36 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| VCC Supply Range | — | 10 V to 17 V |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VB-VS) |
| Interlock / Anti-Shoot-Through | — | Built-in |
| Propagation Delay (typ.) | — | 200 ns |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40C to +125C |
| Nivel MSL | — | 2 |