IR2109SPBF vs 2ED2304S06FXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2109SPBF от Infineon и 2ED2304S06FXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2109SPBF IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF ✓ Активен
Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2109SPBF 2ED2304S06FXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $0,66
Driver Configuration Half-Bridge Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Время нарастания 200 ns —
Время спада 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated (BSD)
Рабочая температура перехода -40 C to +150 C —
Корпус SOIC-8 PG-DSO-8-910 (DSO-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Technology — Infineon thin-film SOI
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.36 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB-VS)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Диапазон рабочих температур — -40C to +125C
Уровень MSL — 2

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену