IR2109SPBF vs 2EDL5013U2DXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2109SPBF por Infineon y 2EDL5013U2DXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2109SPBF 2EDL5013U2DXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $0,85
Driver Configuration Half-Bridge High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 4.5 V to 5.5 V
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Tiempo de subida 200 ns —
Tiempo de bajada 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Temperatura de unión de funcionamiento -40 C to +150 C —
Encapsulado SOIC-8 PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Input Logic — Non-Inverting
Number of Channels — 2
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 3 A
Configuración de salida — Non-Inverting
Bootstrap Voltage Rating — 120 V max
Rise Time (typ.) — 4.4 ns
Fall Time (typ.) — 3.5 ns
Miller Clamp — 7 A active Miller clamp
UVLO — VCC and VBS under-voltage lockout
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C

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