IR2109SPBF vs 2EDL5013U2DXTMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2109SPBF от Infineon и 2EDL5013U2DXTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2109SPBF IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF ✓ Активен
Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2109SPBF 2EDL5013U2DXTMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $0,85
Driver Configuration Half-Bridge High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 4.5 V to 5.5 V
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Время нарастания 200 ns —
Время спада 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Рабочая температура перехода -40 C to +150 C —
Корпус SOIC-8 PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Input Logic — Non-Inverting
Number of Channels — 2
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 3 A
Выходная конфигурация — Non-Inverting
Bootstrap Voltage Rating — 120 V max
Rise Time (typ.) — 4.4 ns
Fall Time (typ.) — 3.5 ns
Miller Clamp — 7 A active Miller clamp
UVLO — VCC and VBS under-voltage lockout
Диапазон рабочих температур — -40C to +125C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену