IR2109SPBF vs 2EDL5013U2DXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR2109SPBF 제조: Infineon 및 2EDL5013U2DXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IR2109SPBF 2EDL5013U2DXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.05 $0.85
Driver Configuration Half-Bridge High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 4.5 V to 5.5 V
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
상승 시간 200 ns —
하강 시간 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
동작 접합 온도 -40 C to +150 C —
패키지 SOIC-8 PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Input Logic — Non-Inverting
Number of Channels — 2
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 3 A
출력 구성 — Non-Inverting
Bootstrap Voltage Rating — 120 V max
Rise Time (typ.) — 4.4 ns
Fall Time (typ.) — 3.5 ns
Miller Clamp — 7 A active Miller clamp
UVLO — VCC and VBS under-voltage lockout
동작 온도 범위 — -40C to +125C

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청