IR2109SPBF vs IR2117SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2109SPBF por Infineon y IR2117SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2109SPBF IR2117SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $1,21
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 1
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Tiempo de subida 200 ns —
Tiempo de bajada 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
Temperatura de unión de funcionamiento -40 C to +150 C —
Encapsulado SOIC-8 8-SOIC (SOIC-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant (PbF suffix)
Configuration — Single high-side driver
Driver Type — High-side gate driver (non-inverting)
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Output Current (Source, typ.) — 0.25 A
Output Current (Sink, typ.) — 0.5 A
Gate Drive Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down
Logic Input Polarity — Non-inverting
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Bootstrap Operation — Yes (floating channel)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Lead Finish — Lead-free (PbF)
Family — IR2117 / IR2118 series

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