IR2109SPBF vs IR2117SPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2109SPBF توسط Infineon و IR2117SPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2109SPBF IR2117SPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 1
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
زمان صعود 200 ns —
زمان افت 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
دمای اتصال کاری -40 C to +150 C —
بسته‌بندی SOIC-8 8-SOIC (SOIC-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant (PbF suffix)
Configuration — Single high-side driver
Driver Type — High-side gate driver (non-inverting)
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Output Current (Source, typ.) — 0.25 A
Output Current (Sink, typ.) — 0.5 A
Gate Drive Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down
Logic Input Polarity — Non-inverting
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Bootstrap Operation — Yes (floating channel)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes
دمای کاری — -40C to +125C
Lead Finish — Lead-free (PbF)
Family — IR2117 / IR2118 series

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت