IR2109SPBF vs IR2117SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2109SPBF מאת Infineon ו IR2117SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2109SPBF IR2117SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 1
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
זמן עלייה 200 ns —
זמן ירידה 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
טמפרטורת צומת פעולה -40 C to +150 C —
מארז SOIC-8 8-SOIC (SOIC-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant (PbF suffix)
Configuration — Single high-side driver
Driver Type — High-side gate driver (non-inverting)
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Output Current (Source, typ.) — 0.25 A
Output Current (Sink, typ.) — 0.5 A
Gate Drive Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — CMOS Schmitt-triggered with internal pull-down
Logic Input Polarity — Non-inverting
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Bootstrap Operation — Yes (floating channel)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Lead Finish — Lead-free (PbF)
Family — IR2117 / IR2118 series

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר