IR2109STRPBF vs IR2101STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2109STRPBF por Infineon y IR2101STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2109STRPBF IR2101STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,61 $0,68
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Número de salidas 2 (High-Side / Low-Side) —
High-Side Offset Voltage (Max) 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Peak Source Output Current 0.2 A (typ) —
Peak Sink Output Current 0.35 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 750 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
ton / toff (typ) 540 ns —
Input Logic Non-Inverting —
UVLO Yes (VCC and VBS) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Dead Time Control Built-in —
dV/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
Encapsulado 8-SOIC (3.90 mm Width) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Estado RoHS Compliant Compliant
Number of Drivers — 2
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
Nivel MSL — MSL 3

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