IR2109STRPBF vs IR2101STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2109STRPBF par Infineon et IR2101STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2109STRPBF IR2101STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,61 $0,68
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Nombre de sorties 2 (High-Side / Low-Side) —
High-Side Offset Voltage (Max) 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Peak Source Output Current 0.2 A (typ) —
Peak Sink Output Current 0.35 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 750 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
ton / toff (typ) 540 ns —
Input Logic Non-Inverting —
UVLO Yes (VCC and VBS) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Dead Time Control Built-in —
dV/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
Boîtier 8-SOIC (3.90 mm Width) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Statut RoHS Compliant Compliant
Number of Drivers — 2
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
Niveau MSL — MSL 3

Fiches techniques et ressources

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