IR2110SPBF vs IRS2110SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2110SPBF por Infineon y IRS2110SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2110SPBF IRS2110SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,98 $0,72
Función Half-bridge gate driver —
Topología High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Encapsulado 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 16-SOIC (SOIC-16 W)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Driver Type — High and Low Side, Half-Bridge
Number of Drivers — 2
Configuración de salida — Non-Inverting
Peak Source/Sink Current — 2.5 A / 2.5 A
Offset Voltage (High-Side) — Up to 500 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (25 V abs max)
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Rise Time (typ.) — 25 ns
Fall Time (typ.) — 17 ns
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS with hysteresis
Estado RoHS — Compliant (Pb-free)
Nivel MSL — 3

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