IR2110SPBF vs IRS2110SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2110SPBF por Infineon e IRS2110SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2110SPBF IRS2110SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,98 $0,72
Função Half-bridge gate driver —
Topologia High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Encapsulamento 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 16-SOIC (SOIC-16 W)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Driver Type — High and Low Side, Half-Bridge
Number of Drivers — 2
Configuração de saída — Non-Inverting
Peak Source/Sink Current — 2.5 A / 2.5 A
Offset Voltage (High-Side) — Up to 500 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (25 V abs max)
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Rise Time (typ.) — 25 ns
Fall Time (typ.) — 17 ns
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS with hysteresis
Status RoHS — Compliant (Pb-free)
Nível MSL — 3

Fichas técnicas e recursos

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