IR2110SPBF vs IRS2110SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2110SPBF par Infineon et IRS2110SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2110SPBF IRS2110SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,98 $0,72
Fonction Half-bridge gate driver —
Topologie High-side and low-side referenced output channels —
Number of Channels 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Logic Type Non-inverting —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 500 V —
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) 10 V to 20 V —
Peak Output Current (source/sink) 2.0 A / 2.0 A —
Typical Propagation Delay (ton/toff) 94 ns / 94 ns —
Rise/Fall Time (typical) 25 ns / 17 ns —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both Vcc and VCC —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Boîtier 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix) 16-SOIC (SOIC-16 W)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Driver Type — High and Low Side, Half-Bridge
Number of Drivers — 2
Configuration de sortie — Non-Inverting
Peak Source/Sink Current — 2.5 A / 2.5 A
Offset Voltage (High-Side) — Up to 500 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (25 V abs max)
Propagation Delay (typ.) — 120 ns
Rise Time (typ.) — 25 ns
Fall Time (typ.) — 17 ns
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS with hysteresis
Statut RoHS — Compliant (Pb-free)
Niveau MSL — 3

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis