IR2114SSPBF vs IR21531STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2114SSPBF por Infineon y IR21531STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2114SSPBF IR21531STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,70 $0,70
Configuration Half-bridge gate driver Half-Bridge
Número de salidas 2 (high-side + low-side) 2 (high-side, low-side)
Topología Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A —
Sink Current (typ.) 3 A —
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL —
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40C to +125C
Encapsulado 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) 8-pin SOIC (SO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant (ROHS3)
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Tiempo de subida — 80 ns
Tiempo de bajada — 45 ns
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización